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18

2025

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GaN MOSFET

GaN級聯結構，兼具Si MOS器件易于驅動（與傳統Si器件驅動兼容度高）、柵壓驅動范圍寬（±20V）、柵極可靠性高等優勢和GaN器件高耐壓、低導通電阻、高開關速度等優勢。

Si MOS器件的集成，使得級聯器件具有較低的反向導通壓降，在應用中，反向導通損耗優勢明顯。

Dmode-GaN器件基于致能高質量的外延和器件結構設計，器件具有高耐壓，高可靠性和低動態電阻等優點。

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